Новости науки и техники - новейшие технологии сегодня в мире
13.07.2017 0 0

Российские физики создали "магнитную" оперативную память


купить с доставкой



Физики из России и Франции создали новый тип оперативной памяти, сочетающей высокую скорость работы обычной электронной памяти и низкое энергопотребление магнитных носителей информации ( RAM сегодня очень сильно развита, её скорости становятся всё больше, однако есть существенный недостаток, который пока не удается преодолеть, — низкая энергоэффективность. Созданная нами магнитно-электрическая ячейка памяти позволит снизить затраты энергии на запись и чтение в десятки тысяч раз", — рассказывает Сергей Никитов, директор Института радиотехники и электроники РАН и заведующий кафедрой в МФТИ.

Пока полупроводниковая оперативная память остаётся единственным типом "быстрой" памяти, которая нашла широкое применение среди всех типов вычислительных устройств. Практически все конкурирующие с ней оптические и ферромагнитные #технологии мгновенной записи и считывания информации страдают серьёзными недостатками, которые не позволяют сделать их коммерчески эффективными. В частности, этому препятствуют высокое тепловыделение, невозможность миниатюризации или особая чувствительность к условиям окружающей среды, сообщает РИА Новости.

Никитов и его коллеги из МФТИ, ИРЭ РАН и ряда других российских и зарубежных научных организаций сделали первый шаг к ликвидации "монополии" полупроводниковой памяти, разработав новый сверхбыстрый и при этом практичный тип памяти, который они назвали MELRAM.

Главной проблемой всех магнитных систем записи и чтения информации, как отмечают учёные, является то, что ячейки магнитной памяти крайне сложно уменьшить, так как для их работы требуются очень чувствительные и точные датчики и источники магнитных полей.

Российские физики обнаружили, что эту проблему можно решить при помощи особых материалов, чьи магнитные свойства меняются при их растягивании или сжатии. Эти деформации можно создать, используя пьезоэлектрические материалы, чья форма меняется при пропускании через них электрического тока.

Руководствуясь этой идеей, команда Никитова склеила два кусочка таких материалов и использовала этот "бутерброд" для создания ячеек магнитоэлектрической памяти, где ноль и единица обозначаются направлением намагниченности, а не электрическим зарядом конденсатора, как в обычной оперативной памяти. Соответственно, для того чтобы записать данные в MELRAM, нужно пропустить ток через пьезоэлемент, а для их чтения – измерить напряжение тока, проходящего через ячейку памяти.

У подобных ячеек памяти есть два главных плюса: информация в них хранится фактически вечно до её первого чтения и её не нужно постоянно обновлять, как в обычной оперативной памяти. Кроме того, их можно уменьшить до размеров транзисторов, так как для работы MELRAM не нужны внешние датчики магнитного поля.

По мнению авторов работы, при переходе к маленьким размерам работоспособность предложенного ими решения никак не ухудшится, а значит, можно утверждать, что у MELRAM хорошие перспективы в области вычислительной техники с жёсткими требованиями к энергопотреблению.

Подробнее разработка описывается в статье, опубликованной в журнале Applied Physics Letters ( подробно о технологиях хранения информации читайте в нашей отдельной теме (

#память #физика #ВестиНаука

купить с доставкой
Контакты:
Адрес: Толстого, 311-А 123115 Москва,
Телефон:+7 989-149-81-32, Электронная почта: contact@litanons.ru Новости науки и техники - Новейшие технологии сегодня в мире

Российские физики создали
Создан рабочий образец оперативной памяти на основе магнитоэлектрического эффекта Создан рабочий образец оперативной
сегодня сложно найти электронное устройство, которое не имело бы оперативной памяти. на ее использовании завязаны практически все особенности
Создан новый тип носителя информации Создан новый тип носителя информации
американские физики предложили новый компактный носитель информации. исследование опубликовано в журнале science advances,
Intel разработала память, которая в 1000 раз быстрее современных жестких дисков Intel разработала память, которая в
корпорация intel представила новый тип компьютерной памяти, которая может произвести революцию в индустрии компьютерных технологий. инновационная
Новое поколение оперативной памяти будет способно заменить центральный процессор Новое поколение оперативной памяти
исследователи из университетов в сингапуре и германии обнаружили способ, позволяющий превратить чипы оперативной
Создана ультрабыстрая и холодная замена флеш-памяти Создана ультрабыстрая и холодная замена
польские и нидерландские физики создали на основе граната магнитное устройство хранения памяти. конструкция
Sony анонсировала карту памяти SD с рекордной скоростью записи 299 МБ/с Sony анонсировала карту памяти SD с
компания sony анонсировала выпуск новой высокоскоростной карты памяти формата sd. модель sf-g uhs-ii обеспечивает максимальную скорость чтения данных
Ученые IBM создали «атомарный» жесткий диск Ученые IBM создали «атомарный» жесткий
за последние десятилетия плотность хранения информации сильно возросла при одновременном уменьшении физических размеров электронных носителей –
«РОСЭЛЕКТРОНИКА» РАЗРАБОТАЛА ОПТИЧЕСКИЕ ДИСКИ НА ОСНОВЕ ОРГАНИЧЕСКИХ МАТЕРИАЛОВ «РОСЭЛЕКТРОНИКА» РАЗРАБОТАЛА ОПТИЧЕСКИЕ
несмотря на наступление цифровой эпохи и облачного хранения информации, «традиционные» оптические носители, жесткие диски и другие элементы памяти
По оценке KGI, в 2017 году Apple может предложить ноутбук MacBook Pro с 32 ГБ ОЗУ По оценке KGI, в 2017 году Apple может
несколько дней назад вице-президент по вопросам глобального маркетинга apple фил шиллер (phil schiller) рассказал, почему компания не предлагает
Kingston Digital представила карту памяти microSDXC Class 10 емкостью 256 ГБ Kingston Digital представила карту
американская компания kingston digital объявила о начале продаж новой карты памяти 10-го класса серии uhs-i microsdhc / microsdxc, объемом
1. Лурия А.Р - Маленькая книжка о большой памяти. 1. Лурия А.Р - Маленькая книжка о
2. вейн а.м.,каменецкая б.и - память человека. 3. роуз стивен - устройство памяти. от молекул к сознанию. 4. йейтс фрэнсис - искусство памяти. 5.
В картах памяти Adata ISDD361 используется флэш-память SLC NAND В картах памяти Adata ISDD361
компания adata technology представила карты памяти формата sd, относящиеся к промышленной электронике. носители, получившие название isdd361,
Физики нашли способ увеличить объем памяти DVD-диска в миллионы раз Физики нашли способ увеличить объем
исследователи из казанского федерального университета (россия) предложили технологию, которая в перспективе может
OPTANE SSD — НОВЫЙ ТИП ПАМЯТИ ОТ INTEL OPTANE SSD — НОВЫЙ ТИП ПАМЯТИ ОТ INTEL
вчера начались продажи нового твердотельного накопителя семейства optane, разработанного intel на основе технологии 3d xpoint. объём памяти первой
Карты памяти Sony SF-G UHS-II в режиме записи развивают скорость 299 МБ/с, в режиме чтения — 300 МБ/с Карты памяти Sony SF-G UHS-II в режиме
компания sony представила серию карт памяти sf-g. сменные носители формата sd выпускаются объемом 32, 64 и 128 гб. они поддерживают uhs-ii. в режиме
Комментарии (0)
Добавить комментарий
Информация
Посетители, находящиеся в группе Гости, не могут оставлять комментарии к данной публикации.